技术编号:3397148
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的制造方法,更详细地说,涉及包含以Al或Al合金等的铝为基体材料的布线层的干法刻蚀技术。近些年来,为了得到低电阻值且具有良好的接触性以及抗电迁徙能力,使用对Al或Al合金膜与金属势垒层进行叠层后的、附图说明图1所示构造的布线层。布线层10形成于半导体衬底11上,该布线层10用Ti膜12,TiN膜13,Al或Al合金膜14,Ti膜15及TiN膜16的叠层膜构成。在上述布线构造中,由作为布线基体材料所使用的是Al或Al合金膜14,故可以得到...
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