技术编号:3397154
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及利用等离子体化学汽相淀积法淀积钛的,该方法可用于包括形成阻挡金属步骤的半导体器件制造方法。随着LSI集成度的增加,接触孔的直径减小,纵横比(深度/直径)增加。假设互连应通过具有这样的高纵横比的接触孔连接到MOS晶体管的源和漏。在这种情况下,第一,在掺有杂质的界面形成如钛之类的难熔金属的硅化物。第二,用钨作为导电材料填充接触孔。首先说明第一点。当例如用铝作为栓塞填充在硅衬底中的杂质区例如源或漏中形成的接触孔时,铝扩散进硅衬底。随着LSI集...
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