技术编号：3397180
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过至少用硅化合物，例如硅烷作为源气体的高频等离子体CVD以高速率形成微晶硅膜的方法、光电元件及光电元件的制造方法。根据本发明的微晶硅膜，适用于薄膜半导体元件，例如薄膜太阳能电池或薄膜晶体管。在70年代后期，非晶硅基薄膜的价控制已经成为可能，从那时开始，将非晶硅基薄膜应用于以太阳能电池为代表的光电元件进行了研究和开发。作为使用非晶硅基薄膜或其它类似物制造光电元件的方法，使用典型为13.56MHz高频(RF)的等离子体CVD方法已经众所周知了。与体...
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