技术编号:3397941
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属选择性生长金刚石膜的方法,特别涉及纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺过程。由于金刚石膜具有良好的电学、光学特性和优良的导热、绝缘特性,因此可以用它制备多种电子、光电子器件以及在半导体集成电路中作散热材料和绝缘材料。众所周知,金刚石具有很强的化学和物理稳定性,使用常规的刻蚀方法很难解决其微细加工的问题。因此,按照电路设计和器件制备所需图形选择性生长金刚石膜对开发金刚石膜在微电子领域中的应用具有十分重要的意义。跟本发明最接近的选择性生长金刚石膜的方法是...
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