技术编号:3399431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机金属化学气相沉积技术,尤其涉及为实现化学气相沉积过程而对金属有机化合物固体源的封装过程及封装容器,属于光电子新材料。背景技术 高纯三甲基铟等金属有机化合物,是金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)过程中生长光电子材料的重要原料,广泛应用于生长磷化铟、铟镓砷氮(InGaAsN)、铟镓砷(InGaAs)、铟镓磷(InGaP)等化合物半导体薄膜材料。纯净的三甲基铟在室温下为固体,当用于MOCVD时需要将该固体源封装在钢瓶内,然后控制钢瓶温度,使其蒸...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。