技术编号:3399518
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于化学气相沉积生长,具体涉及金属有机物化学气相淀积设备MOCVD的恒流配气系统及控制方法,用于为设备在化学沉积过程提供稳定的气流,改善制备多层结构薄膜的淀积质量。背景技术 现有金属有机物化学气相淀积设备MOCVD(为简便,以下均用MOCVD代替设备的中文名称)的典型配气系统通常采用的模式如图4,一般具有载气加载管路、MO源装置、MO源输出管路、反应气体加载管路及尾气排放管路。系统运行时,管路上的真空阀门A和B始终开启,输出带MO源的载气。在反应进行...
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