技术编号：3400022
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于氧化锌的半导体光电器件和其它用途的探测器、传感器的导电氧化锌薄膜的制备方法，特别是涉及一种硼掺杂制备高硬度的n型透明导电氧化锌薄膜的方法。背景技术 近几十年，由于氧化锌在兰光及紫外二极管和激光器方面的潜在用途引起了人们的极大兴趣，同时氧化锌由于还具有其它一些独特的特性，比如大的激子结合能和低的光泵阈值，使得氧化锌还具有更广泛的潜在用途。在光电器件的制造过程中，一个极为重要的因素是材料的力学性能。氧化锌是一种相对而言比较软的半导体材料，其单...
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