技术编号:3400179
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光学薄膜,特别是指一种。背景技术 用电子束蒸发技术实现的光学膜,因膜层的致密性较差,造成光学性能不稳定,可靠性较差,高折射率材料折射率相对较低等不良现象,为此,为了提高高折射率的硅膜致密性,通常采用离子辅助技术,但是,该技术工艺复杂,而且容易造成衬底损伤,在光电子器件中应用将带来一些副面的影响。本发明提到的提高硅膜致密性制备技术在于克服这些缺点,所使用的方法为双枪电子束蒸发技术,通过同时蒸镀不同材料来减少电子束蒸发的空位,提高膜的致密性,提高硅膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。