技术编号:3400602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用化学气相生长装置形成膜、利用干蚀刻装置进行微细加工等的衬底处理,特别是使处理的均匀性提高的技术。背景技术 近年来,半导体集成电路装置的高集成化和低功耗化在不断地深入,半导体集成电路装置的制造成本也随着半导体衬底的大口径化等而越来越低成本化。为了把这些半导体集成电路装置中的元件的图案尺寸微细化和使衬底大孔径化,就需要在制造工艺中抑制半导体集成电路装置的构成部件即绝缘膜的膜厚的偏差,在整个衬底上均匀地进行干蚀刻加工等。图6是一剖面图,显示在半...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。