技术编号：3400620
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及，更为特别地，涉及使用超临界态介质的。背景技术 最近持续地，由于半导体装置的性能和功能正在变高，促进了半导体装置的高度集成，并极需要半导体装置具有精细结构。已发展了等于或小于0.10μm的配线规则(wiring rule)的技术。另外，铜(Cu)用作半导体装置的配线材料。这是由于Cu的阻抗值低，并且对其配线延迟的影响较小。由于这一点，Cu沉积技术与精细配线技术的结合对最近的精细多层配线技术来说非常重要。溅射法、化学气相沉积(CVD)法、电镀法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。