技术编号:3400716
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例大致是关于一种化学气相沉积(CVD)制程,更特定是关于一种用以清洁一CVD制程室的方法及设备。背景技术 化学气相沉积法被广泛用于半导体产业中以沉积各种膜层于基材上,包括,例如内生型或有掺质的非晶硅(a-Si)、氧化硅(SixOy)、氮化硅(SirNs)、氧氮化硅等。现代半导体CVD制程通常是利用在真空室内将前驱物气体加以解离并反应以形成欲求的膜层。为了在低温下以较高速率沉积膜层,可在沉积过程中使前驱物气体形成等离子。这类等离子制程之一为等离子强...
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