技术编号：3400757
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用氨基硅烷、一定量的氨或相对惰性的气体以提高沉积的氮化硅的抗蚀刻性和降低氢浓度的氮化硅膜的等离子体增强低压化学气相沉积领域。背景技术 在半导体器件的制备中，诸如氮化硅(Si3N4)的化学惰性介电材料薄钝化层是至关重要的。氮化硅薄层的功能是作为扩散掩模、氧化阻挡层、沟道隔离、具有高的介电击穿电压的金属间介电材料和钝化层。在其它地方报道了一些氮化硅涂层在半导体器件制备中的其它应用，见半导体和工艺技术手册(Semiconductor and Proc...
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