技术编号:3401000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及加工半导体晶片的设备,具体说,涉及一种能使气体分布更加均匀的反应腔室的气体喷嘴。背景技术 参见图1,在低压下,工艺气体从气路柜通过进气喷嘴1进入到反应腔室2内;通过摆阀4调整反应腔室需要的真空度;然后施加射频电源。反应气体在射频功率的激发下,产生电离形成等离子体,等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应性生生成物...
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