技术编号:3401091
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体工艺的控制方法,尤其涉及一种。背景技术 化学机械抛光技术已广泛应用于双重金属镶嵌、金属插塞、沟渠式电容器(Trench Capacitor)的上电极等结构的制作以及介电层的平坦化上,为制造集成电路不可或缺的工艺。化学机械抛光过程中的主要的工艺参数有抛光头所施的压力、抛光液与抛光粒的成份、抛光垫的材质、晶片与抛光垫的相对线速度以及温度等。然而,化学机械抛光的结果会受到许多非工艺参数的影响,而影响良率与可靠性(Reliability)。举例...
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