技术编号:3401102
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请交叉参考本申请要求在2004年12月30日提交的U.S临时专利申请60/640,539的35U.S.C.119(e)之下的优先权,该申请与在此公开相一致的整体通过引用结合于此。 背景技术 薄膜淀积方法使能生产广泛有用的设备和设备组件。例如,诸如离子束喷射、等离子体强化化学薄膜淀积、电子束蒸发以及热蒸发的化学和物理淀积方法是特定有用的方法,用于制作由各种材料,包括电介质材料、半导体材料以及导体材料的薄膜所组成的复杂结构。使用具有从几十纳米到几十厘米的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。