技术编号:3401143
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及化学气相淀积腔,特别是涉及可以减少重新校正台座与扩散器间相对位置频率的具有存取通道的化学气相淀积腔。背景技术在平面显示器的制程中,由于需要在玻璃基板上制作晶体管组件,因此在制程中需要镀上不同的材质,诸如SiO2、SiNx、a-Si与n+a-Si等薄膜。目前多采用等离子体增强化学气相淀积系统(PECVD,Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)来形成薄膜。PECVD是在一真空系统中,通入制程气体后以一等...
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