技术编号:3402360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种多元素溅射靶材结构。背景技术陶瓷氧化物钇稳定二氧化锆(ZrO2-Y2O3,以下简称为YSZ),通过磁控溅射的方法制备成膜应用于诸多领域,特别是在超导材料研究中,常以YSZ薄膜作为隔离层,常规情况下,以陶瓷氧化物YSZ做为靶材,用磁控溅射方法镀膜来生长YSZ薄膜,陶瓷氧化物靶材的溅射产额较相应的金属材料的溅射产额低,因而成膜生长速率慢,且必须使用射频的溅射电源。相反金属材料溅射产额高,且可用直流溅射电源,成本低,但是对多元的金属材料通过合金...
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