技术编号：3402736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抛光垫的基垫以及使用该基垫的多层垫。更具体来说，本发明涉及用于抛光过程中对半导体处理的所有步骤中各种基材进行平面化的抛光垫的基垫，还涉及使用该基垫制造的多层垫。背景技术 在半导体处理的所有步骤中，使用化学机械抛光(以下称为″CMP″)或平面化过程对各种基材进行平面化，所述基材是在其上面沉积了硅、氧化硅、金属(钨、铜或钛)、金属氧化物、电介质或陶瓷的基材。该抛光过程是精密/平滑表面研磨处理过程的一种，在此过程中在抛光垫和晶片之间提供抛光浆液对晶片的...
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