技术编号:3403013
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件中使用的III族氮化物半导体晶体及其制造方法、III族氮化物半导体器件及其制造方法,以及包括那些III族氮化物半导体器件的发光设备背景技术III族氮化物半导体晶体广泛地用于半导体器件如发光二极管(下面称作LED)和激光二极管(此后称作LD)。通常,包括III族氮化物半导体晶体的III族氮化物半导体器件的制造需要很多工序步骤。有在开始衬底上形成厚的III族氮化物半导体晶体的工序、从开始衬底除去该晶体的工序、分割那个晶体的工序、将通过分割获...
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