技术编号:3403236
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请一般地涉及晶片处理并且更具体地涉及用于晶片处理的系统和方法。背景技术 化学机械抛光或平面化(CMP)为抛光包括半导体基片和覆盖在这样的基片上的膜的材料的技术,提供高度均匀性和平面度。该过程用于移除在基片上制造微电子电路期间形成的膜上的突起特征,或者用于移除膜层以暴露埋在膜下面的电路。在一些情况中,该过程可以在半导体片上制造微电子电路之前平面化半导体片。一些传统的化学机械抛光过程使用具有定位在台板上的单个的大的抛光垫的设备,基片靠在该抛光垫上定位以用于...
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