技术编号：3403408
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大致是关于半导体技术，更明确而言，是关于一种在基材上沉积应力材料的方法。背景技术 在制造电路及显示器的基材的制程中，基材典型上会曝露于能够在基材上进行沉积或蚀刻材料的高能处理气体。在化学气相沉积(CVD)程序中，通过高频率电压或微波能量高能化的处理气体会用以将材料沉积在基材上，该基材可以是一层状物，接触孔的填塞物，或其它选择性沉积结构。该沉续层可以进行蚀刻或其它处理方式，以在基材上形成主动及被动组件，例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)...
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