技术编号：3403578
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抛光垫，并尤其涉及用于研磨需要非常高的加工精度的加 工对象例如半导体晶片、半导体衬底和玻璃衬底的表面的抛光垫。背景技术在制造半导体器件例如LSI器件的过程中，例如在硅晶片上形成不同 类型的薄层包括金属层和绝缘层的叠层结构，以〗更制造半导体衬底。在此 制造过程期间，每个薄层的表面被平面化。作为将每个薄层的表面平面化 的一种主要方法，已知化学机械抛光法(下文被称为"CMP")。根据 CMP法，可使用合成树脂材料或其发泡材料制成的薄盘形抛光垫，并且在 ...
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