技术编号:3404082
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及镀抗反射钝化膜的生产方法及设备,特别^^及的是一种在晶体硅太 阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法及设备。 背景技术目前,多晶硅太阳能电池的抗反射钝化膜都是采用等离子体增强的化学气相沉 积法(PECVD)生产的掺氢氮化硅膜层(SixNy H),这是由于该膜层与其他抗反射 膜(如Ti02)相比,它具有很好的表面和体钝化功能。但采用PECVD技术来生产 SixNy H膜存在几个显著的缺点首先,由于化学气相沉积法(PECVD)生产SixNy H膜时使用的是...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。