技术编号:3404183
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制程中清除鴒插塞合金化处理之后形成的氧化层的方 法,更具体的说,是清除鴒插塞合金化处理之后表面形成的氧化层的方法。背景技术近年来,由于半导体器件日益高度集成化,接触孔的尺寸趋于缩小。随 着接触孔的尺寸缩小,使得在金属接触处理过程中,金属不能良好填充在接 触孔内。因此,产生了接触电阻增大的问题。因此,具有高电导率的铝被用 作金属接触处理中的金属。但是,由于金属铝台阶覆盖特性差,所以不能令 人满意地填充于小尺寸的接触孔内。作为解决此问题的办法,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。