技术编号:3404213
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有石英喷嘴防护部件的气体反应内管及反应系统技术领城本发明涉及半导体工艺的化学气相沉积制程,涉及一种保护石英喷嘴不被 晶片割破的治具,具体地说,是一种具有石英喷嘴防护部件的气体反应内管及 反应系统。背景技术化学气相沉积(CVD)是一种将气态化合物沉积在晶片基底上以形成镀膜的 制程,常用于介电膜、金属膜、复晶硅膜等的沉积,在半导体工艺中是非常重 要的一个环节。如附图说明图1所示,常用的CVD设备,例如东京电子有限公司提供的TEL CVD系 统,主要由基座(m...
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