技术编号:3404255
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电力电子器件的制作工艺方法,特别是指一种在电力电子器件硅片的表面进行选择性精密刻蚀加工方法。本发明还涉及一种上述方法的装置。背景技术 在硅片表面进行选择性的精密刻蚀加工,是半导体器件中一种常用的工艺方法。电力电子器件硅片表面同样需要进行选择性的精密刻蚀加工。精密刻蚀可分为使用腐蚀液的湿法刻蚀和采用原子游离、分子游离基以及离子等的干法刻蚀。现在的干法刻蚀又可进一步分为三大类1、等离子刻蚀利用原子游离基加工,腐蚀呈各向同性,设备为同轴型结构。2、...
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