技术编号:3404558
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种物理气相沉积反应器,尤其涉及一种具有可施加到靶材的 射频电源的物理气相沉积等离子体反应器。背景技术近来随着集成电路设计技术的进步,位于半导体晶体管上方的多层内连线 结构现今已有多达六层至十层的内连线层。绝缘层将连续的导体层分开。导体 内连线层可具有完全不同的导体图案,以及内连线层之间彼此连接且经由垂直延伸穿过绝缘层的通孔而在不同位置连接到晶体管层。本发明涉及通孔(vias) 的形成。为了减少集成电路中的电阻功率损耗,内连线层与通孔通常运用铝而...
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