技术编号：3404653
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于化学机械研磨期间的研磨垫。 背景技术集成电路通常是以连续沉积导电层、半导体层或绝缘层于硅晶圆上的 方式形成。制造步骤的一包括沉积填充层于非平坦表面上，并平坦化该填 充层直至暴露出非平坦表面。例如，导电性填充层可沉积于一经图案化的 绝缘层上，以填充该绝缘层中的沟槽或孔洞。接着研磨该填充层直至暴露 出该绝缘层的凸起图案。在平坦化之后，残留在绝缘层凸起图案之间导体 层的部分会形成介层洞、插塞及金属线，以形成基材上薄层电路间的导电 路径。此外，制程亦...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。