采用热喷涂生产基于硅与锆的靶的方法技术资料下载

技术编号:3404673

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本发明涉及一种采用溅射或采用离子源生产靶的方法,该靶打算用 于在中性或反应性气氛中的真空沉积方法,特别地采用磁场增强的阴极溅射的真空沉积方法。根据本发明的另一个方面,本发明还涉及通过实施所述方法得到的 耙,以及为了由所述耙得到以賊射材料为基的层而使用这样一种革巴,与 采用本发明目方法能够生产所述靶的化合物组合物。人们知道由粉末混合物成型生产靶的各种技术。因此,上述这些耙 可以由所述混合物铸造、烧结方法得到,或少数由热喷涂技术,更特别 地由等离子体炬的喷射技...
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