技术编号:3404682
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,该方法可以制造能够用作半导体元 件等电子材料的低缺陷密度或晶格畸变少的碳化硅单晶。背景技术作为碳化硅单晶的生长方法,迄今为止,已知通过升华法进行的块生长、 在基板上通过外延生长形成薄膜。在通过升华法进行的块生长中,可以生长出高温相结晶多晶形的六方晶(6H、 4H等)碳化硅单晶,且可以制备碳化 硅本身的单晶基板。然而,向结晶内导入的缺陷(尤其是微管)极多,且难 以扩大基纟反面积、。相反,如果在单晶基板上使用外延生长法,则能实现提高杂质添加的控 制...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。