技术编号:3404785
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于高电子迁移率氧化铟(ln203)透明半导体晶体薄膜的制备,具体是通过射 频磁控溅射和气体反应相结合的方法来制备电子浓度可控的ln203晶体薄膜,属于半导体材 料。 背景技术以硅为基础的薄膜晶体管制造已经是非常成熟的工艺,并且广泛用于平板显示器中。然 而,这类器件存在一定的限制,诸如光敏性,低迁移率(小于lcr^A^s)等。于是越来越多 的人把注意力集中到氧化合物半导体中,诸如氧化锌,镓、铟氧化物等,即使在室温下生长 这些薄膜都有较高的迁移率。较...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。