技术编号:3404929
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般涉及紫外(uv)固化室。更具体地说,本发明 的实施例涉及串列uv室,所述uv室用于对衬底上的介质膜执行固化处理并对串列室内的表面执行清洁处理。 背景技术氧化硅(SiO)、碳化硅(SiC)和掺碳氧化硅(SiOC)在半导体器件制造中得到了非常广泛的使用。在半导体衬底上形成含硅膜的一种途径是通过室内的化学气相沉积(CVD)。在含硅膜的CVD过程中经常采用供 应有机硅的材料。由于这种有机硅供应材料中存在碳,室壁上和衬底上可 能形成含碳膜。水常常是...
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