技术编号：3404933
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种使用硅前体和氧化性气体。背景在CMOS半导体装置的前端制造中，在每个MOS晶体管的栅电极上 形成钝化膜如SiN。这种SiN薄膜沉积在该栅电极(如多晶硅或金属层)的顶 面和侧面上以增加每个晶体管的击穿电压。已经尝试降低此类SiN的温度沉积，以达到不高于400。C的温度。然而，在小于400。C的温度下沉积的SiN薄膜通常具有较差的膜质量。 为了克服这个问题，已经建议使用Si02薄膜增强SiN薄膜性能("双垫片，，) 并因此制得有效的电阻隔层以显...
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