技术编号:3405118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硫属元素化物物理气相沉积部件。 背景技术超过45纳米结点的按比例存储(scaling memory )技术要求在CMOS 范例夕卜部的显著切才奐。The International Technology Roadmap For Semiconductors 2003- Emerging Research Devices (下文称作2003 ITRS ) 的第2页陈述道"电力可达的高速和高密度非易失性存储器的发展会引 发电脑构造中的革命"。在200...
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