技术编号:3405621
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种沉积系统及其操作方法,更具体地涉及一种用于原子 层沉积的沉积系统。背景技术一般来说,在材料处理期间,当制作复合材料结构时采用等离子体来 促进材料膜的添加和去除。例如,在半导体处理中,干法等离子体刻蚀工7上图案化的精细的线或在过孔或触点内去除或刻蚀 材料。或者,例如,气相沉积工艺被用于沿精细的线或在硅衬底上的过孔 或触点内沉积材料。在后者中,气相沉积工艺包括化学气相沉积(CVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。在PECVD中,等离子体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。