技术编号:3406455
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种低温等离子体薄膜沉积装置。用低温等离子体技术沉积薄膜材料及进行材料表面处理在国际上得到了飞速发展。已被广泛地应用在半导体、微电子、光学、机械、新材料等工业领域。涉及不同种类的低温等离子体技术的设备已在全球形成约每年几百亿美元的巨大市场。阴极弧等离子体沉积薄膜是近十年来发展最为迅速的真空镀膜技术之一,已大规模的用于工业生产和科学研究。其主要优点是设备的结构和工艺简单,离化率最高,高速度、高效率。然而,阴极弧在产生离子的同时,严重影响了沉积薄...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。