技术编号:3406484
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学机械研磨工艺,尤其涉及一种防止晶圆表面氧化膜研磨厚 度不均的方法。背景技木化学机械研磨是半导体器件制造过程中十分重要的一道工序,通过研磨液 腐蚀晶圓表面的氧化层及多余的金属,达到表面平坦化的处理效果。附图说明图1为浅沟槽隔离(ShallowTrenchlsolation,STI)研磨过程的示意图,图中,待研磨的晶圓 表面具有不平整的氧化硅层1,氧化硅层1下方还具有氮化硅层2,如状态a所 示。于STI研磨过程中,首先使氧化硅层1平坦化,如状态b...
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