技术编号:3406556
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及γ-LiAlO2衬底和ZnO宽带隙半导体薄膜材料,特别是一种,具体地说,是在高质量匹配衬底材料γ-LiAlO2(100)和(302)面上用低压-金属有机化学气相沉积(以下简称为LP-MOCVD)设备生长m-面和a-面ZnO宽带隙半导体薄膜的方法。背景技术 ZnO在近紫外区域有较宽的直接带隙(3.37eV),有希望用于制作紫外发光二极管(UV-LED)、平板显示器(FPD)、透明电极等光电元件。与GaN相比,ZnO具有更高的激子束缚能(60meV)...
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