技术编号：34065683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.一种层状结构，特别是但不限于光电发射器或光电探测器设备。背景技术.层状的半导体结构通常由在堆叠中外延生长的多个层形成。每个层可以是与先前的层不同的材料或组成，这引入小的晶格失配并因此引入应变。该应变在层堆叠上方累积或增加，并可能导致结构的弯曲和/或翘曲。这种弯曲和/或翘曲可能为后续层生长呈现不均匀的表面；可能导致后续层以变化的厚度生长；由于材料沉积和热传递不均匀，可能导致后续层中的不均匀的性质；并且可能增加器件制作处理的复杂性和成本。发明内容.本发明试图解决这些缺点中的一些或全部。.本...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。