技术编号:3406589
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制程,尤其涉及化学机械研磨装置。 背景技术目前,集成电路中开始使用铜作为互连结构的金属材料,通常采用双大马士革镶嵌—(Dual Damascene )工艺实现集成电路的铜互连。采用双镶嵌工艺制造 集成电路铜互连在将铜填充到导线沟槽中后均会采用化学机械研磨 (Chemical Mechanical Polish)使铜层平坦化,去除电介质层上多余的铜,让晶 片表面达到全面性的平坦化,以利后续进行薄膜沉积。化学机械研磨工艺通常包括三步。第一步用来...
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