技术编号:3406612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于相变存储材料,具体涉及一种铝掺杂相变存储薄膜材料 Alx(Ge2Sb2Te5)1GG.x及其制备方法。 背景技术1968年,Ovshinsky提出了相变存储(Phase-Change Memory (PCM))的概念,他在 硫族化物薄膜材料中发现了原子排布可以在有序一无序态之间转变。相变存储,也被称 为Ovonic Unified Memory (OUM),是一种基于硫族化合物材料的晶态与非晶态两相的转 换来存储信息的技术。处于晶态和非晶态时,薄...
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