技术编号:3407737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在机械的化学抛光(Chemical MechanicalPolishing;以下简称CMP)中在进行抛光布的布网孔堵塞或异物去除之际使用的抛光布用打磨器和用它的抛光布的打磨方法。背景技术 一般来说在硅晶片基板上制造半导体硅晶片基板或集成电路等微细电子电路的过程中,出于去除存在于基板表面上的凹凸或结晶缺陷的目的用CMP加工。在此一CMP加工中,一边以规定的载荷把晶片基板压住粘贴于抛光装置的固定盘的由泡沫聚氨酯构成的抛光布上,一边供给称为浆液的抛光液...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。