技术编号：3408009
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种制备碳化硅薄膜的工艺，特别是指一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺。背景技术 作为重要的第三代宽带隙半导体材料，碳化硅材料由于其宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点，在高温、高频、大功率以及抗辐射等方面的应用潜力而得到光电子、微电子行业的重视，但是迟迟不能在工业上大规模应用，部分原因是碳化硅材料的制备困难，同时在器件制作上与现在已经成熟的硅器件制作工艺不兼容。本发明利用磁控溅射方法在硅衬底上制备可以采用硅器件制作工艺的应用于...
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