技术编号:3410481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及缩短制造时间、制造高性能的。背景技术半导体发光元件(LED)因为功耗低、寿命长且发光效率高,所以作为光源得以实用化。并且在半导体发光元件的领域中,GaN, GaAlN, InGaN等GaN系化合物半导体被广泛应用于可见光发光器件及高温动作电子器件等。在GaN系化合物半导体的制造中,为了在基板表面上生长半导体膜,一般使用蓝宝石基板作为晶体基板。因为蓝宝石基板是绝缘性的,所以不能在蓝宝石基板的相对于设置有由GaN系化合物构成的发光层的基板面...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。