技术编号:3410602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体装置领域。明确地说,所述实施例涉及一种使用气体团簇离子束(GCIB)来制作存储器单元的方法。背景技术非易失性相变存储器单元因其在缺少电力供应的情况下维持数据的能力而成为集成电路的所要元件。已调查过供在非易失性存储器单元中使用的各种可变电阻材料(包含硫属化合物合金),所述可变电阻材料能够在非晶相与结晶相之间稳定地转变。每一相展现特定电阻状态且所述电阻状态可用来区分存储器单元的逻辑值。具体来说,非晶态展现相对高的电阻,而结晶态展现相对低...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。