技术编号：3410632
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管(以下，称为LED)元件用的复合材料基板、其制造方法及使用了该复合材料基板的LED发光元件。背景技术LED是在半导体的pn结中流过正向电流时进行发光的元件，使用GaAs、GaN等 III-V族半导体晶体来制造。近年来，随着半导体的外延生长技术和发光元件工艺技术的进步，开发出转换效率优良的LED，并广泛使用于各领域。LED由使III-V族半导体晶体在单晶生长基板上外延生长而得的ρ型层、η型层以及被该两者夹持的光活性层构成。通常，使GaN等...
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