技术编号：3410846
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体涉及用于沉积薄膜尤其是外延薄膜的化学气相沉积(CVD)反应器的领域，更具体地说，涉及采用一个或多个灯加热反应器和移动晶片套的CVD反应器，所述移动晶片套暴露于灯、吸收灯辐射、并安装多块晶片和限定晶片套内的处理气体的流动。背景技术通过化学气相沉积(CVD)方法在晶片上沉积薄膜的外延反应器，可以根据它们加热晶片的方法、在反应室或数个反应室内的晶片的整体布局、以及整体工具架构来进行分类，整体工具架构包括反应室的数量，以及是否分别在系统的入口和出口处配置...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。