技术编号:3410913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在被处理体的表面形成覆膜的方法及其装置,详细而言,涉及使用作为薄膜形成方法中的一种的溅射法来形成覆膜的成膜方法以及DC磁控方式的成膜装置。本申请基于2009年05月20日于日本申请的特愿2009-121894号主张优先权,在此援用其内容。背景技术以往,例如在半导体设备的制作过程中的成膜工序中,利用使用了溅射法的成膜装置(以下称为“溅射装置”)。在这种用途的溅射装置中,近年来伴随着布线图案的微细化,强烈要求对于高深宽比的微细孔,能够在遍及应处理的基...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。