技术编号：3411315
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属氧化膜的成膜方法、氧化锰膜的成膜方法及计算机可读取存储介质。背景技术 随着半导体装置的集成密度的增加，半导体元件和内部布线的几何学尺寸日趋微细化。内部布线、例如铜(Cu)布线随着其几何学尺寸变小，电阻增大。为了抑制电阻增大，必须使防止Cu扩散的防扩散膜(以下称作阻挡层)的厚度变薄，减少阻挡层和Cu布线的合成电阻。例如，特开2008-28046号公报中所记载，阻挡层使用PVD法(溅射法)来形成。发明内容然而，在采用PVD法形成的薄阻挡层中...
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