技术编号：3411403
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于产生纳米粒子的技术和设备。 背景技术溅射沉积是一种公知的材料真空沉积的方法。采用DC磁控管在“靶”(即待沉积材料的样本)的上方直接生成等离子体。等离子体中的离子反复撞击靶表面并迫使材料从靶表面蒸发。该材料随后局部地冷凝，或者被处理。一些靶材料，例如钛存在氧化的问题。绝缘的氧化层阻止了溅射过程，不过可以对磁控管采用交流(AC)电驱动(或脉冲DC电驱动)替代DC驱动来克服这个问题。该驱动被布置为包括短时的正偏移(positive excurs...
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